<半導體可飽和吸收體-上海昊量光電設備有限公司

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                半導體可飽和吸收體

                簡要描述:半導體可飽和吸收體:可飽和吸收體產品包括:SAM半導體可飽和吸收鏡、SA 可飽和吸收體、RSA 諧振飽和吸收器、RSAM共振可飽和吸收鏡、SANOS 可飽和噪聲去除腔。 我司所提供的可飽和吸收產品,可以覆蓋620nm到3.5μm的常用激光波長范圍。

                • 產品型號:
                • 廠商性質:代理商
                • 更新時間:2023-05-11
                • 訪  問  量:792
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                半導體可飽和吸收體


                目前,可飽和吸收體產品包括:SAM半導體可飽和吸收鏡(Semiconductor Saturable absorber mirror)、SA 可飽和吸收體(Saturable Absorber in transmission)、RSA 諧振飽和吸收器(Resonant Saturable Absorber in transmission)、RSAM共振可飽和吸收鏡(Resonant Saturable absorber mirror)、SANOS 可飽和噪聲去除腔(Saturable Noise Suppressor)。 我司所提供的可飽和吸收產品,可以覆蓋620nm到3.5μm的常用激光波長范圍。


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                SAM-半導體可飽和吸收鏡 (Saturable Absorber Mirror)


                SAM結構是由一面反射鏡和前面的一個飽和吸收體組成。鏡子的單晶層和吸收體生長在GaAs等晶圓上。


                SAM實際上是一面非線性的反射鏡,反射率隨脈沖能量的增加而增加。


                應用:利用飽和吸收鏡(SAM),可以實現具有非常穩定脈沖重復率的自啟動被動鎖模二極管泵浦激光器、固體激光器和光纖激光器,光譜范圍涵蓋620nm~3.5μm內都可以使用。此外,還可以利用SAM作為非線性光學器件來實現Q開關微片激光器。



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                RSAM 共振飽和吸收鏡(Resonant Saturable Absorber Mirror)


                用于固態激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。


                RSAM被設計成諧振Gires Tournois干涉儀結構,吸收層位于共振腔內波腹處。RSAM是一種非線性光學器件,對如噪聲具有很低的反射率,對高功率信號(如光脈沖)具有很高的反射率。光脈沖使吸收器材料在RSAM的共振腔內飽和。由于吸收材料的恢復時間短,RSAM在反射脈沖后及時過濾噪聲。RSAM的重要參數是共振波長、帶寬和飽和通量。RSAM應用于光噪聲抑制,例如在EDFA或脈沖選擇器之后光-光波長轉換。


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                SOC飽和輸出耦合器(Saturable Output Coupler )


                用于固態激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。


                使用飽和輸出耦合器(SOC),一個自啟動,被動鎖?;騋開關二極管泵浦固體或光纖激光器,結構非常簡單。SOC是一個飽和吸收鏡(SAM)與輸出耦合鏡的組合。


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                SANOS飽和噪聲抑制器(Saturable Noise Suppressor)


                用于抑制光噪聲,例如光放大器后的ASE或脈沖提取器后的剩余脈沖。


                可以提供自由空間或光纖耦合類型。


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                SA可飽和吸收器( Saturable Absorber )


                適用于用于固態、環形或光纖環形激光器的無源鎖模。


                可以提供自由空間或光纖耦合類型。


                SA的典型飽和通量比SAM高。


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                RSA共振飽和吸收體( Resonant Saturable Absorber in transmission )


                共振飽和吸收體可用于環形激光器的被動鎖模。具有以下特殊性能:低強度時,共振波長處的反射率為零。共振之外的所有波長的透過率為零。在共振波長處,透射率隨脈沖強度的增大而增大。飽和通量明顯低于SA,甚至低于典型的SAM。上述特性使被動鎖模光纖環形激光器的構建成為可能,該激光器的激光波長固定在RSA的諧振波長處,連續波鎖模啟動的功率閾值較低。


                ** 關于半導體可飽和吸收體的詳細規格參數要求,可咨詢上海昊量光電設備有限公司。


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